长鑫DRAM芯片低调开启商用 市场竞争力几何?

平心在线 10 2020-06-17 01:09:36

 经过多年摸索,中国首款自主研发的DRAM芯片终于投入市场。这些内存条产品均采用长鑫存储的双倍数据速率(DDR4)内存芯片,频率以2666Mhz为主,容量为8GB和16GB。图/IC photo         相关报道兆易创新43亿元定增申请获批 资金用于切入DRAM市场首批芯片交付在即 长鑫存储加大DRAM专利储备中国首款DRAM芯片投产 将于年底正式交付紫光DRAM存储芯片工厂落户重庆 计划今年年底开工日本尔必达破产 牵动全球DRAM版图日本最大DRAM制造商申请破产保护     

 (记者 何书静)经过多年摸索,中国首款自主研发的DRAM芯片终于投入市场。5月以来,多款搭载长鑫存储DRAM芯片的内存条上市,下游合作厂商包括江波龙、光威等。

  这些内存条产品均采用长鑫存储的双倍数据速率(DDR4)内存芯片,频率以2666Mhz为主,容量为8GB和16GB。模组厂商江波龙于5月15日宣布,长鑫存储的颗粒已通过其EVT完整的颗粒级测试,并已推出三款搭载长鑫存储颗粒的内存产品。



  自2016年项目启动以来,长鑫存储的造芯计划就备受关注。内存芯片市场一直被三星、海力士、美光三家海外芯片原厂把控,近年中国企业试图突围,由合肥市政府出资、芯片设计厂商兆易创新( 603986.SH )参与的长鑫存储被寄予厚望。2019年9月,长鑫存储董事长兼首席执行官(CEO)朱一明表示,DDR4芯片已经投产,将于当年年底正式交付。(详见“中国首款DRAM芯片投产”)

 

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